Centro de recombinación isoelectrónica
Una cierta cantidad de átomos de impureza equivalentes a los átomos principales se dopan en el semiconductor para reemplazar los átomos en los puntos de celosía. Debido a la diferencia en las propiedades eléctricas entre los átomos de impureza y los átomos principales, los átomos de impureza neutro pueden unir electrones o agujeros y convertirse en centros cargados. El centro cargado atrae a transportistas con señales opuestas a los transportistas consolidados, formando un estado con destino a exciton. Este estado consolidado de excitons se llama el centro de recombinación isoelectrónica.