Principio de formación de semiconductores de tipo N
Tanto el dopaje como los defectos pueden provocar un aumento de la concentración de electrones en la banda de conducción. Para materiales semiconductores a base de germanio y silicio, elementos del grupo de dopaje V (fósforo, arsénico, antimonio, etc.), cuando los átomos de impureza reemplazan al germanio en la red por sustitución 1, los átomos de silicio pueden proporcionar un electrón extra además de satisfacer la coordinación de enlace covalente , que forma un aumento en la concentración de electrones de la banda de conducción en el semiconductor, tales átomos de impurezas se denominan donantes. Los donantes de semiconductores compuestos Ⅲ-Ⅴ suelen adoptar elementos del grupo IV o del grupo VI. Algunos semiconductores de óxidos, como ZnO, Ta2O5, etc., la relación química suele ser hipóxica, estas vacantes de oxígeno pueden mostrar el papel de los donantes, por lo que este tipo de óxido suele ser de conductividad electrónica, es decir, es un semiconductor tipo N. El calentamiento al vacío puede mejorar aún más el grado de deficiencia de oxígeno, que se manifiesta como una conductividad electrónica más fuerte.